功率半导体基板| Ferrotec Material Technologies Corporation.

功率半导体基板. Power Electronic DCB & AMB Substrates. 一般来说，应用热电致冷器制造技术的散热用绝缘基板线路板方面，低功率的家电产品和PC等产品中大多使用有机 ... 企业情报 社长情报 企业理念 公司概要 公司履历 安全保障出口管理 事业所一览 集团据点 社会责任 环保活动 半导体等设备相关业务热电致冷器 首页 产品一览 TOP 微型致冷器 超微型致冷器 金锡致冷器 单级致冷器 大功率致冷器 长寿命致冷器 单孔致冷器 多孔致冷器 软性基板致冷器 多级致冷器 环氧树脂密封 发电 客户定制 Flexible软性基板致冷器 客户定制 相关产品 FTA951标准制冷单元 TEC控制器 体验样机 导热硅脂 水冷散热器 技术 特征/用途案例/R&D信息 技术信息 FAQ 安装方法 使用上的注意事项 主要的故障原因 可靠性试验项目 生产地点 汽车相关业务 热电致冷器 磁性流体 功率半导体基板 半导体等设备相关业务气相沉积碳化硅（CVD-SiC） TOP 炭化ケイ素 特性 半导体等设备相关事业真空密封传动装置 TOP 磁性流体真空产品（Ferro真空产品） TOP 实心轴密封传动装置 微型轴密封传动装置 通孔轴密封传动装置 法兰类密封传动装置 重负载密封传动装置 空心轴密封传动装置 通孔轴密封传动装置 法兰类密封传动装置（双轴承类型） 法兰类密封传动装置（懸臂承类型） 多重轴向軸承 二重轴型 三重轴型 三重轴直線動向型 氣體淨化型 氣體循环型 高真空类型 客户定制 机器人密封传动装置 TOP 半导体等设备相关业务精密陶瓷组件 首页 氧化铝 氧化锆 氮化硅 碳化硅 氮化铝 低热膨胀 特性 半导体等设备相关业务可加工陶瓷组件 首页 可加工云母 可加工氮化物 加工技术 特性 半导体等设备相关业务硅胶零件 TOP 产品 高温退火舟 高温用硅胶环 喷射管 衬套 舟 底座 硅胶蚀刻零件 生产基地 电子设备业务磁性流体 顶端 音频应用磁性流体 生物医学应用的磁性纳米颗粒 磁区观察应用磁性流体 教育和艺术应用 技术信息 自定义和信息表格 技术与产品 电子器件产品 功率半导体基板 TOP DCB产品特性 AMB基板 耐压/用途 生产基地 PowerElectronicDCB&AMBSubstrates 功率半导体基板 PowerElectronic DCB&AMBSubstrates 一般来说，应用热电致冷器制造技术的散热用绝缘基板线路板方面，低功率的家电产品和PC等产品中大多使用有机类基板或金属基板，而应对大功率的电源模块的散热绝缘基板会使用铝、氮化铝、氮化硅材质的基板。

特别是，随着HEV和EV车辆销量的增加，面向逆变器/转换器的电源模块的产品中氮化硅基板备受瞩目，敝公司除传统产品DCB（DirectCopperBonding）之外，还开始量产新产品AMB(ActiveMetalBrazing)。

有望为小型化、节能化作出贡献，实现今后的增长。

ProductLine 产品一览 氧化铝（ZTA）陶瓷基板 氧化铝陶瓷基板(化学镀银) 氧化铝陶瓷基板(化学镀镍金) 氧化铝陶瓷基板 DCB产品特性 DCB基板性能 项目 数值 单位 最大尺寸 138*190 mm 最大可用面积 127*178 mm 线距 根据不同铜厚而定，详见设计规范 mm 线宽 +0.3/-0.2 mm 铜层剥离强度(最小值) >5 N/mm 可焊性 >95% % 交付方式 小枚交付/大板交付 表面状态 裸铜/阻焊/化学镀镍/化学镀镍金/银镀 µm 材料 氮化锆陶瓷 成分 90%Al/ZrO₂ % 厚度 0.32,0.25 mm 密度 3.95 g/cm³ 导热系数 27 W/m.k 抗弯强度 600 W/m.k 介电常数 10.5 1MHz 介电损耗 0.0003 1MHz 击穿电压 20 kV/mm 体积电阻率 1*1014 Ωcm 氮化铝陶瓷 成分 96%Al₂O₃ % 厚度 1.00,0.89,0.76,0.63,0.5,0.38,0.32,0.25 mm 密度 3.73 g/cm³ 导热系数 24 W/m.k 抗弯强度 350～450 Mpa 介电常数 9.8 1MHz 介电损耗 0.0003 1MHz 击穿电压 20 kV/mm 体积电阻率 1*1014 Ωcm 铜 材质 无氧铜 % 纯度 99.99 % 硬度 90～110 HV 电导率 58.6 MS/m 厚度 0.40,0.30,0.25,0.20,0.127 mm AMB ActiveMetalBrazing 氮化硅陶瓷基板(化学镀镍金) SiNAMB氮化硅基板(裸铜) SiNAMB氮化硅基板(化学镀镍) SiNAMB氮化硅基板 AMB产品特性 AMB基板性能 项目 数值 单位 最大尺寸 138*190 mm 最大可用面积 127*178 mm 线距 根据不同铜厚而定，详见设计规范 mm 线宽 +0.3/-0.2 mm 铜层剥离强度(最小值) >10 N/mm 可焊性 >95% % 交付方式 小枚交付/大板交付 表面状态 裸铜/阻焊/化学镀镍/化学镀镍金/银镀 µm 材料 氮化硅陶瓷 成分 96%SiN % 厚度 0.32,0.25 mm 密度 3.22 g/cm³ 导热系数 90 W/m.k 抗弯强度 700 Mpa 介电常数 8 1MHz 介电损耗 0.001 1MHz 击穿电压 20 kV/mm 体积电阻率 1*1014 Ωcm 氮化铝陶瓷 成分 96%AlN % 厚度 1.0,0.63,0.38,0.25 mm 密度 3.3 g/cm³ 导热系数 170 W/m.k 抗弯强度 350 Mpa 介电常数 9 1MHz 介电损耗 0.0005 1MHz 击穿电压 20 kV/mm 体积电阻率 1*1014 Ωcm 铜 材质 无氧铜 纯度 99.99 % 硬度 60～110 HV 电导率 58.6 MS/m 厚度 0.8,0.5,0.4,0.3,0.25,0.2 mm 功率半导体的种类和耐压/用途 DCB/AMB的主要市场范围：工业设备、汽车、电力铁路、可再生能源 该产品可从FerrotecPowerSemiconductor(Japan)Corp.获得。

生产基地 上海 上海富乐华半导体科技有限公司 上海市宝山城市工业园区山连路181号 东台 江苏富乐德半导体科技有限公司 江苏省东台市城东新区鸿达路18号 与产品相关查询 HOME 技术与产品 电子器件产品 功率半导体基板 ▲PAGETOP