第三代半導體功率元件新主流3檔吸睛 - 工商時報

業界看好GaN及SiC將成為未來功率元件新主流，並預期隨著晶圓製造成本逐年 ... 法半導體搶攻GaN市場，第二代650V和100V的E-HEMT已全產能量產，世界先進 ... 首頁焦點科技第三代半導體功率元件新主流3檔吸睛 第三代半導體功率元件新主流3檔吸睛 工商時報涂志豪 2021.09.30 第三代半導體材料發展廣受矚目。

圖／本報資料照片 新冠肺炎疫情衝擊全球車市，但卻加速電動車的發展，隨著特斯拉、奧迪、豐田等一線車廠的新款電動車進入量產，加上美國及歐盟已確定政策上要求提高電動車銷售比重，電動車功率元件需求大爆發，包括氮化鎵（GaN）及碳化矽（SiC）等第三代寬能隙化合物半導體，已經大量應用在電動車的電力系統。

另外，第三代化合物半導體的高頻高壓、高能源轉換效率等特性，讓GaN及SiC開始被大量應用在5G電信基礎建設及射頻元件，GaN也成為手機快充的重要解決方案之一。

業界看好GaN及SiC將成為未來功率元件新主流，並預期隨著晶圓製造成本逐年大幅降低，智慧型手機、筆電及平板電腦、物聯網、車用電子的電源系統都會導入GaN或SiC方案。

業者分析，第三代化合物半導體製程除了耐高電壓、低導通電阻、低切換損失等特色外，也分別具備耐高溫與適合在高頻操作下的優勢，適合電動車或5G應用。

國內業者近年來亦積極投入相關技術研發及產能布局，包括台積電結盟意法半導體搶攻GaN市場，第二代650V和100V的E-HEMT已全產能量產，世界先進與客戶合作開發8吋GaN製程將在年底小量出貨。

再者，漢磊及嘉晶投入GaN及SiC技術研發多年。

在晶圓代工部份，30V～350V電壓6吋矽基GaN製程進入量產，600V～1200V電壓4吋SiC製程及1700V電壓6吋SiC製程產能已順利開出。

在磊晶圓部份，矽基GaN磊晶完成650V電壓技術開發，1700V及3300V電壓SiC磊晶平台也已完成建置。

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