〈世界法說〉GaN製程進度符預期明年下半年放量 - 鉅亨

世界先進與設備材料廠Kyma、及轉投資GaN 矽基板廠Qromis 攜手合作，開發可做到8 英寸的新基底高功率氮化鎵技術GaN-on-QST。

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(圖：AFP)Tag世界先進半導體晶圓代工GaN氮化鎵晶圓代工廠世界先進(5347-TW)今(3)日召開法說，對於氮化鎵(GaN)製程進度，世界先進表示，第四季到明年1月將有不同客戶新品設計定案(tape-out)，進度符合預期，最快明年下半年可望放量。

世界先進與設備材料廠Kyma、及轉投資GaN矽基板廠Qromis攜手合作，開發可做到8英寸的新基底高功率氮化鎵技術GaN-on-QST。

世界先進全球業務及規劃副總經理陳姿鈞表示，今年底前可望完成所有客戶技術認證，第四季到明年上半年間，可望陸續有不同客戶產品設計定案，目前進度符合預期且正面看待。

陳姿鈞也說，最快要明年下半年GaN相關產品才會放量，營收貢獻初期估個位數占比。

GaN屬於新材料，效能、可靠度等均需要長時間驗證，在5G高頻功率元件中，扮演重要角色，被看好未來將大量應用於車聯網、電動車、5G基地台供電模組等領域，世界先進也因此積極佈局GaN製程。

facebookcommentFONTSIZEICONPRINT相關行情我要存股立刻下單延伸閱讀Q3純益季增26%每股賺2元續創高前3季每股賺4.94元Q4營收、獲利可望再創高上調今年資本支出金額最多90億元估明年營收成長優於產業資本支出將再提升相關新聞1.力積電總座：明年員工分紅會成長好幾倍12/172.〈黃崇仁開講〉第四位大老槓外資重砲抨擊「分析師根本...12/163.〈黃崇仁開講〉中芯恐遭美擴大制裁客戶將找第二供應商12/164.今年半導體資本支出估成長34%上看1520億美元再創新高12/155.經濟部證實基辛格將來台英特爾、台積電低調不回應12/136.〈觀察〉英特爾及三星分合組織聚焦半導體挑戰台積電龍頭地位12/127.世界先進擬發債70億元用於擴廠、綠色環保等支出12/108.世界先進11月營收43億元再創高12月可望續登峰12/09意見回饋我要投稿免費體驗