【报告】《MOSFET产业链报告》：功率MOS，驱动发展 - 与非网

根据Omdia数据，全球功率器件总市场约为463亿美元，其中分立MOSFET占比约为18%， ... 【报告】《MOSFET产业链报告》：功率MOS，驱动发展. 热点：与非专题|与非观察|与非主题月|与非研究院|硬核拆评|论坛|datasheet|专栏|新品|博客|课程|电路方案|活动|原厂资料 |技术文档  主页 >  基础器件  >  新闻  >  正文 X 【报告】《MOSFET产业链报告》：功率MOS，驱动发展 2021-07-1910:58 作者： AI芯天下 预计 3 分钟读完 分享到： 前言：     根据Omdia数据，全球功率器件总市场约为463亿美元，其中分立MOSFET占比约为18%，市场空间约为83.34亿美元，MOSFET模组约占1%。

  功率MOSFET器件工作速度快，损耗小，扩展性好。

适合低压、大电流的环境，要求的工作频率高于其他功率器件。

应用范围覆盖电源、发频器、CPU及显卡、通讯、汽车电子等多个领域。

  MOSFET的差异化主要来源于三个方面，一是基于系统know-how理解的设计能力。

  二是前段制程的差异，即晶圆制造环节的工艺水平差异。

三是后段制程的差异，即芯片封装工艺水平的差异。

  数字逻辑芯片产品的价值链构成更长，设计软件、IP、EDA、know-how、前段晶圆制造能力、前段封装能力共同创造了芯片的附加值。

由于价值链较长，逻辑芯片产业链出现了产业分工，Fabless+Foundry模式渐渐替代传统的IDM模式。

  但是在功率半导体领域，价值链较短，前段晶圆制造能力和后端封装能力是构成产品附加值的核心，国际一线企业大多数采用IDM模式。

  MOS升级之路：制程缩小+技术变化+工艺进步+第三代半导体   制程缩小：MOSFET的生产工艺在1976-2000年左右跟随摩尔定律不断缩小制程线宽。

生产工艺制程从早期的10微米制程迭代至0.15-0.35微米制程。

技术变化：MOSFET经历了3次器件结构上的技术革新：沟槽型、超级结、InsulatedFieldPlates。

每一次器件结构的发化，在某些卑项技术指标上产品性能得到飞跃，大幅拓宽产品的应用领域。

  工艺进步：在同一个器件结构下，通过对生产工艺进行调整，产品FOM性能变得小幅改善。

  材料迭代：SiC、GaN半导体功率器件。

  以下是《MOSFET产业链报告》部分内容：     扫描下方二维码，公众号后台回复：MOSFET报告，即可获得完整报告       END   作者|方文       功率器件  MOSFET  逻辑芯片 分享到： 版权声明：与非网经原作者授权转载，版权属于原作者。

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