何謂MEMS？

SOI晶圓: SOI是Silicon On Insulator的縮寫，是指在氧化膜上形成了單晶矽層的矽晶圓 ... 羅姆的薄膜壓電MEMS代工運用自身擁有的先進薄膜壓電技術和MEMS加工技術，以及 ... 使用InternetExplorer的用戶:瀏覽ROHM網站不推薦使用IE11瀏覽器。

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是利用微細加工技術，將機械零件、電子電路、感測器、致動器集約在一塊電路板上的高附加值元件。

MEMS工藝 MEMS工藝以成膜工序、光刻工序、蝕刻工序等常規半導體工藝流程為基礎。

下面介紹MEMS工藝的部分關鍵技術。

晶圓 SOI晶圓 SOI是SiliconOnInsulator的縮寫，是指在氧化膜上形成了單晶矽層的矽晶圓。

已廣泛應用於功率元件和MEMS等，在MEMS中可以使用氧化膜層作為矽蝕刻的阻擋層，因此能夠形成複雜的三維立體結構。

TAIKO磨削　“TAIKO”是DISCO株式會社的商標 TAIKO磨削是DISCO公司開發的技術，在磨削晶圓時保留邊緣區域，只對其內側進行磨削。

TAIKO磨削與通常的磨削相比，具有“晶圓曲翹減少”、“晶圓強度更高”、“處理容易”、“與其他製程的整合性更高”等優點。

晶圓粘合/熱剝離片工藝 透過使用支撐晶圓和熱剝離片，可以輕鬆對薄化晶圓進行處理等。

晶圓接合 晶圓接合大致分為“直接接合”、“透過中間層接合”2類。

直接接合不使用粘合劑等，是利用熱處理產生的分子間力量，使晶圓相互粘合的接合，用於製作SOI晶圓等。

透過中間層接合是借助粘合劑等使晶圓互相粘合的接合方法。

蝕刻 等向性蝕刻與非等向蝕刻 透過在低真空中放電使等離子體產生離子等粒子，利用該粒子進行蝕刻的技術稱為反應離子蝕刻。

等離子體中混合存在著攜帶電荷的離子和中性的自由基，具有利用自由基的等向性蝕刻、利用離子的非等向蝕刻兩種蝕刻作用。

矽深度蝕刻 匯集非等向蝕刻和等向性蝕刻的優點於一身的博世製程技術，已經成為了矽深度蝕刻的主流技術。

透過重複進行Si蝕刻⇒聚合物沉積⇒底面聚合物去除，可以進行縱向的深度蝕刻。

側壁的凹凸因形似扇貝，稱為“扇貝形態”。

成膜 ALD（原子層沉積） ALD是AtomicLayerDeposition（原子層沉積）的縮寫，是透過重複進行材料供應（前體）和排氣，利用與基板之間的表面反應，分步逐層沉積原子的成膜方式。

透過採用這種方式，只要有成膜材料可以透過的縫隙，就能以納米等級的膜厚控制，在小孔側壁和深孔底部等部位成膜，在深度蝕刻時的聚合物沉積等MEMS加工中形成均勻的成膜。

羅姆的薄膜壓電MEMS代工運用自身擁有的先進薄膜壓電技術和MEMS加工技術，以及得到了量產業績印證的先進生產技術，為實現小型、節能、高性能產品，提供從試製、開發到量產的全程支援。

>　薄膜壓電MEMS代工（服務介紹） 下頁是關於MEMS相關用語的簡要總結。

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