氮化鋁陶瓷基板在IGBT中的重要作用

IGBT陶瓷基板在現代電子技術行業已經廣泛應用了，主要是因為IGBT模組優異的 ... 使用氮化鋁陶瓷基板作為晶片的承載體，可以將晶片與模組散熱底板隔離 ... 品化科技股份有限公司-專注於半導體材料和化學品Aboutus電子化學電子材料先進包裝新材料綠能健康食品包裝專業代工設備零件理貨聯絡我們知識News+回首頁 > 知識News+>最新消息最新消息氮化鋁陶瓷基板在IGBT中的重要作用2020-04-25  IGBT陶瓷基板在現代電子技術行業已經廣泛應用了，主要是因為IGBT模組優異的電器性能。

其中氮化鋁陶瓷基板起著非常重要的作用。

   IGBT範本陶瓷電路板在哪裡行業應用廣泛呢？  IGBT模組是由IGBT（絕緣柵雙極型電晶體晶片）與FWD（續流二極體晶片）通過特定的電路橋接封裝而成的模組化半導體產品；封裝後的IGBT模組直接應用於變頻器、UPS不斷電供應系統等設備上；IGBT模組具有節能、安裝維修方便、散熱穩定等特點；當前市場上銷售的多為此類別模組化產品，一般所說的IGBT也指IGBT模組；隨著節能環保等理念的推進，此類產品在市場上將越來越多見；IGBT是能源變換與傳輸的核心器件，俗稱電力電子裝置的“CPU”，作為國家戰略性新興產業，在軌道交通、智慧電網、航空航太、電動汽車與新能源裝備等領域應用極廣。

   氮化鋁陶瓷基板在IGBT陶瓷基板中的重要作用  氮化鋁陶瓷基板在電力電子模組技術中，主要是作為各種晶片(IGBT晶片、Diode晶片、電阻、SiC晶片等)的承載體，陶瓷基板通過表面覆銅層完成晶片部分連接極或者連接面的連接，功能近似於PCB板。

氮化鋁陶瓷基板具有絕緣性能好、散熱性能好、熱阻係數低、膨脹係數匹配、機械性能優、焊接性能佳的顯著特點。

  使用氮化鋁陶瓷基板作為晶片的承載體，可以將晶片與模組散熱底板隔離開，基板中間的AlN陶瓷層可有效提高模組的絕緣能力(陶瓷層絕緣耐壓>2.5KV)。

而且氮化鋁陶瓷基板具有良好的導熱性，熱導率可以達到170-260W/mK。

IGBT模組在運行過程中，在晶片的表面會產生大量的熱量，這些熱量會通過陶瓷基板傳輸到模組散熱底板上，再通過底板上的導熱矽脂傳導於散熱器上，完成模組的整體散熱流動。

同時，氮化鋁陶瓷基板膨脹係數同矽(晶片主要材質為矽)相近(7.1ppm/K)，不會造成對晶片的應力損傷，氮化鋁陶瓷基板抗剝力>20N/mm2,具有優秀的機械性能，耐腐蝕，不易發生形變，可以在較寬溫度範圍內使用。

並且焊接性能良好，焊接空洞率小於5%，正是由於氮化鋁陶瓷基板的各種優良性能，所以被廣泛應用於各型IGBT模組中，採用氮化鋁陶瓷基板的IGBT模組具有更好的熱疲勞穩定性和更高的集成度。

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