微電子工程研究所

本系研究所甲組(電子組)因師資優良，歷年研究成果豐碩，因此獲教育部88.12.28 ... 微電子所發展重點主要從事半導體材料元件的研究、開發新穎高速微波元件、系統與光電 ... 跳至主導覽 跳至搜尋 跳過主要內容 微電子工程研究所 國立成功大學電機資訊學院 電話886-6-2757575Ext.62303電子郵件[email protected]網站https://ime.ee.ncku.edu.tw/ Postaladdress 概覽 指紋 網路 概要 (10) 專案 (55) 研究成果 (2938) 學生論文 (164) Organisationprofile本系研究所甲組(電子組)因師資優良，歷年研究成果豐碩，因此獲教育部88.12.28台(88)高(1)字88163715號函同意獨立設為「微電子工程研究所」，並已於八十九學年度正式對外招生。

除延續以往高品質之研究外，亦將配合南部科學園區廠商進行相關之研發題目，使學生得以兼顧學術理論及學以致用的機會歡迎有心學子踴躍報考本所。

微電子所發展重點主要從事半導體材料元件的研究、開發新穎高速微波元件、系統與光電科技，今後將發展微波元件、光電元件、VLSI元件、高集積密度積體電路，功能性光集積電路系統、大面積顯示板、通訊用光學積體電路、微積體電路、高速及負微分電阻元件、電子構裝技術、量子元件設計與研製、碳化矽高溫高功率元件研製、奈米元件與材料、有機發光二極體、微機電遠紅外線感測器、CMOS深次微米元件及技術、高靈敏度氣體感測器、深次微米CMOS元件之可靠度研究等。

Highelectronmobilitytransistors Engineering&MaterialsScience 100% Lightemittingdiodes Engineering&MaterialsScience 81% Metals Engineering&MaterialsScience 69% Photodetectors Engineering&MaterialsScience 69% Voltage ChemicalCompounds 64% Heterojunctions Engineering&MaterialsScience 60% Substrates Engineering&MaterialsScience 56% Temperature Engineering&MaterialsScience 52% 關閉 從清單中選擇國家/地區 張守進changsjmail.ncku.edutw微電子工程研究所奈米積體電路工程碩士學位學程人員:Academic 19882021 陳志方jfchenmail.ncku.edutw微電子工程研究所奈米積體電路工程碩士學位學程人員:Academic 19952021 莊文魁rwchuangmail.ncku.edutw微電子工程研究所奈米積體電路工程碩士學位學程人員:Academic 19992021 人造神經模擬人類感覺神經的運作Wang,Y.21-08-01→22-07-31研究計畫:Researchproject 人造神經模擬人類感覺神經的運作Wang,Y.19-08-01→22-07-31研究計畫:Researchproject 人造神經模擬人類感覺神經的運作Wang,Y.20-08-01→21-07-31研究計畫:Researchproject AlleviationofchargetrappingandflickernoiseinHfZrO2-BasedFerroelectricCapacitorsbyThermalEngineeringDe,S.,Bu,W.X.,Qiu,B.H.,Su,C.J.,Lee,Y.J.&Lu,D.D.,2021四月19,VLSI-TSA2021-2021InternationalSymposiumonVLSITechnology,SystemsandApplications,Proceedings.InstituteofElectricalandElectronicsEngineersInc.,9440091.(VLSI-TSA2021-2021InternationalSymposiumonVLSITechnology,SystemsandApplications,Proceedings).研究成果:Conferencecontribution Chargetrapping 100% ThermalEngineering 96% Defectdensity 91% Capacitor 87% Ferroelectricmaterials 84% ALowProgramVoltageEnabledFlashlikeAlGaN/GaNStackLayeredMIS-HEMTsUsingTrapAssistedTechniqueMazumder,S.,Pal,P.,Tsai,T.J.,Lin,P.C.&Wang,Y.H.,2021,於:ECSJournalofSolidStateScienceandTechnology.10,5,055019.研究成果:Article›同行評審 Managementinformationsystems 100% ElectronMobility 96% Highelectronmobilitytransistors 93% Nonconductor 90% Semiconductor 61% 1 引文 斯高帕斯（Scopus） AnalyticalModellingofFerroelectricityInstigatedEnhancedElectrostaticControlinShort-ChannelFinFETsCiou,J.Y.,De,S.,Wang,C.W.,Lin,W.,Lee,Y.J.&Lu,D.,2021四月8,20215thIEEEElectronDevicesTechnologyandManufacturingConference,EDTM2021.InstituteofElectricalandElectronicsEngineersInc.,9420931.(20215thIEEEElectronDevicesTechnologyandManufacturingConference,EDTM2021).研究成果:Conferencecontribution Ferroelectricity 100% FinFET 67% Electrostatics 55% Capacitance 44% Length 31% 3DStructuredDevicesDevelopedbyThroughSiliconViaTechnology作者:俊良,盧.,2019監督員:Chang,S.(Supervisor)學生論文:DoctoralThesis AnalysisonHotCarrierReliabilityforHighVoltageMOSDevicewithDifferentProcesses作者:俊諺,陳.,2017七月3監督員:Chen,J.(Supervisor)學生論文:Master'sThesis AnalysisonReliabilityforFinFETwithDifferentProcesses作者:佑軒,李.,2018七月5監督員:Chen,J.(Supervisor)學生論文:Master'sThesis