PL图谱分辨仪| イーグローバレッジ株式会社
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PL图谱分辨仪
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PL图谱分辨仪
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PL图谱分辨仪
标准配置
LED╱LD生产用光致发光及外延层厚度测量系统(适用于2、3、4、6英寸外延片)
技术参数表
主机规格
基本型号YWAFER-GS6YWAFER-GS6-RTYWAFER-GS6-RYWAFER-GS6-PL
光学可测范围及灵敏度型号一览
UVVIS:280~850nm
VISNIR:350~1030nm
UVNIR:200~1100nm
NIR:900~1600nm(适用近红外线的冷却InGaAs检波器)
540NIR:540~1100nm(红色高灵敏性)
UVNIR-HISENS:200~1100nm(紫外线高灵敏性)
载片尺寸
2、3、4、6英寸
GS6-RDHLD:1/4截断外延片托盘(选配)
GS6-2.5HLD:2.5英寸外延片托盘(选配)
GS6-2x3HLD:2英寸外延片×3配套托盘(选配)
外延片传送方式
手动
映像间隔
0.04mm~(0.1mm精度)
透射测量
测量项目
平均反射率外延层厚度(按GaN外延层厚度换算)
不可使用
精度╱可重复性
1%以内(0.5~50µm的GaN外延层情况下)╱10nm以内
不可使用
反射测量
测量项目
不可使用
平均反射率
外延层厚度(按GaN外延层厚度换算)
表面粗糙度/分散
DBR(分布布拉格反射镜)特性
不可使用
精度╱可重复性
不可使用
1%以内(0.5~50µm的GaN外延层情况下)╱10nm以内
不可使用
光致发光(PL)测量
测量项目
峰值波长╱相对积分强度╱相对波峰强度╱半值宽(FWHM)╱主波长(CIE波长)
波长分辨率
~0.3nm(但在UVNIR-HISENS为~0.7nm,NIR为~2.0nm)
光强精度
3%(相对波峰峰强╱相对积分强度•YWafer强度校正功能使用时)
峰值波长反复精度
<1nm(峰值波长╱半值高)
最小半高宽
–1.5nm
PL激起激光种类(最大4台)
266nm、325nm(使用外置光纤)、375nm、405nm、532nm其它可协商
控制单元
接口
PC-basedUSB╱数码I/O
运行环境╱语言
搭载MicrosoftWindowsTMXP的PC╱日语或英语(用户选择)
其它选配项
GS-SPCFLT:光衰减及波长滤波器控制
GS-LASFLT:激光强度滤波器控制
GS-CUSTHLD:用户样品托盘
GS-TURBOSCAN:高速扫描(仅测PL)
软件
版本
YWaferControllerv3.06
程序语言
多线程VisualC++
操作模式
操作员、工程师、维护
特点:
清除了内部干涉影响,具有高度再现性的光谱分析。
性能
每张外延片的处理时间
手动装片╱卸片
-20sec(依赖于操作熟练程度)
标准值(测量值校正用)测量
<4sec
参考:测量2英寸外延片时(min:sec)
通常高速(选配)
0.5mm间隔(测量7429点)7:553:26
1.0mm间隔(测量1868点)2:341:02
2.0mm间隔(测量468点)0:510:31
操作规范(主机)
运行、设置环境
场所
无尘室(1000~10000级)内
温度
15–35℃
湿度
<85%RH(要求不结露)
尺寸
纵向540×横向640×高度300mm
重量
40kg
输入电压
AC100~240V50/60Hz
消耗电力
120W以下
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