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效率未知時,可姑且升壓時采用70%,降壓時采用80%左右來計算。
圖10是圖11所示的XC9220C093的外設元件中隻更換了FET後測試的效率圖。
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DC/DC转换器回路设计指南
3.FET的选择方法
DC/DC转换器回路设计指南(3/10)
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场效应晶体管(FET)的选择
对电压・电流的绝对最大额定值,选择以减少开关时的尖峰噪声和脉冲噪声的故障率为目的的、额定值为使用电压的1.5倍~2倍左右、RDS和CISS引起的损失最小的产品,可构成效率好的DC/DC转换器电路。
虽然RDS和CISS都是越小损失也越小,但因RDS和CISS成反比关系,改善损失大的一方效果更好。
CISS引起的损失是FET的栅源极间充放电时被丢弃的功率,可用CISSVGS2f/2来表示。
驱动电压和开关频率越大损失就越大,由于重负载时和轻负载时损失值基本相同,所以会使轻负载时的效率大幅度变差。
而RDS引起的损失是作为因FET的漏源极间电阻成分发生的热而放出的,它的值用RDSID2来表示,负载越大其值越是增大。
因此,可以说轻负载时减少CISS引起的损失对提高效率的效果较好,重负载时减少RDS引起的损失效果较好。
将上述内容归纳于下面的表3中。
表3选择FET之例
项目
设计例
电气特性
RDS,CISS
重视轻负载时效率:CISS→小重视重负载时效率:RON→小
绝对最大额定值
VDS
升压时:大约输出电压的2倍降压时:大约输入电压的2倍
VGS
升压时:大约VDD的2倍降压时:大约输入电压的2倍
ID
升压时:大约输入电流的2倍降压时:大约输出电流的2倍
输入电流可用输出(负载)电流×输出电压÷输入电压÷效率来计算求出。
效率未知时,可姑且升压时采用70%,降压时采用80%左右来计算。
图10是图11所示的XC9220C093的外设元件中只更换了FET后测试的效率图。
其中所用的各FET的规格值如表4中所示。
从图10来看,使用RDS小的FET(XP162A11C0)呈现能驱动更大电流,重负载时的效率得到若干改善的趋势。
但也可知进一步大幅度降低轻负载时的效率,不必要地使用电流驱动能力大的FET是不适当的。
图10.XC9220C093更换FET后的效率変化
图11.XC9220C093图10的测试电路
表4FET的各种特性
项目
电气特性
绝对最大额定值
RDS(mΩ)
CISS(pF)
VDS(V)
VGS(V)
ID(A)
XP152A11E5
200
160
-30
±20
-0.7
XP162A11C0
110
280
-30
±20
-2.5
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