mosfet損耗計算

1、導通功率損耗導通功率損耗主要來源于功率電流在通態電阻Rds（（on）上產生的熱。先回顧計算公式∶Pon=IDSrms2*Rds(on)*K*Don

损耗功率为p=i2*r，其中i为输电线上的电流，r为线路的总电阻（损耗为热损耗）。远距离输电线电压之间关系为u1=u2+△u；其中u1为升压变压器输出电压 ...

首先，請看根據效率計算損耗的公式，這同時也是為了整理效率和損耗的關係。 輸入功率[W]＝輸出功率[W]＋損耗[W] 效率（×100，以“%”表示）＝輸出 ...

輸入功率永遠大於輸出功率，輸權出功率+損耗=輸入功率，輸入功率-輸出功率=損耗，它們之間存在效率關係‍，效率永遠小於1，效率高低反映該裝置高耗能或新形 ...

損失的功率與電流的平方成正比，所以電流小，大大減低熱損耗。從公式(2) 可知，我們可以利用高電壓達至小電流的效果。例如，如果我們把輸出電壓倍增(×2)，電流便會減 ...